Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > IPD65R600E6ATMA1
IPD65R600E6ATMA1

IPD65R600E6ATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

INFNS28015-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD65R600E6ATMA1 - IPD65R600 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 37917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
354+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 354
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD65R600E6ATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IPD65R600E6ATMA1 за ціною від 47.88 грн до 144.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080 Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+100.71 грн
100+78.16 грн
500+57.55 грн
1000+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080 Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.61 грн
10+100.71 грн
100+78.16 грн
500+57.55 грн
1000+47.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD65R600E6-DataSheet-v02_04-EN-1227052.pdf MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa65r600e6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080 Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFB8E5E68E2EF1BF&compId=IPD65R600E6-DTE.pdf?ci_sign=59c90fa50e42dc67494aef06d3d5da5c823aaa78 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 7.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 650V
Technology: CoolMOS™
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.