IPD65R650CEAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 25.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD65R650CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD65R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 86W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD65R650CEAUMA1 за ціною від 13.77 грн до 106.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD65R650CEAUMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPD65R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD65R650CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD65R650CEAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD65R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD65R650CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPD65R650CEAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 10.1A; 86W; DPAK; SMT Mounting: SMD Electrical mounting: SMT Gate charge: 23nC On-state resistance: 0.54Ω Drain current: 10.1A Gate-source voltage: 20V Power dissipation: 86W Drain-source voltage: 650V Technology: MOSFET Case: DPAK Kind of channel: enhancement Polarisation: N Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPD65R650CEAUMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
IPD65R650CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |