Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD65R660CFDAATMA1
IPD65R660CFDAATMA1

IPD65R660CFDAATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD65R660CFDA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7bd7d66028c6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 214.55µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD65R660CFDAATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 62.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFDA, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.594ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD65R660CFDAATMA1 за ціною від 45.30 грн до 149.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD65R660CFDAATMA1 IPD65R660CFDAATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R660CFDA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7bd7d66028c6 Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 214.55µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.33 грн
10+91.99 грн
100+62.54 грн
500+46.87 грн
1000+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDAATMA1 IPD65R660CFDAATMA1 INFINEON INFN-S-A0002955601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDAATMA1 IPD65R660CFDAATMA1 INFINEON INFN-S-A0002955601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.594ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDAATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R660CFDA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7bd7d66028c6 Trans MOSFET N-CH 650V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDAATMA1 Infineon-IPD65R660CFDA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7bd7d66028c6
IPD65R660CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 214.55µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.33 грн
10+91.99 грн
100+62.54 грн
500+46.87 грн
1000+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDAATMA1 INFN-S-A0002955601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD65R660CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDAATMA1 INFN-S-A0002955601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD65R660CFDAATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.594ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDAATMA1 Infineon-IPD65R660CFDA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7bd7d66028c6
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.