IPD65R660CFDATMA2 Infineon Technologies


Infineon-IPX65R660CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a34774b30ac
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.03 грн
10+80.99 грн
100+54.68 грн
500+40.74 грн
1000+38.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD65R660CFDATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA, Power Dissipation (Max): 63W (Tc).

Інші пропозиції IPD65R660CFDATMA2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD65R660CFDATMA2 IPD65R660CFDATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPX65R660CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a34774b30ac Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA2 IPD65R660CFDATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD65R660CFD_DataSheet_v02_07_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA2 Infineon-IPX65R660CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a34774b30ac
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA2 Infineon_IPD65R660CFD_DataSheet_v02_07_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.