IPD65R950CFDATMA2 Infineon Technologies


Infineon-IPD65R950CFD-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a7335ee3163
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.51 грн
10+66.56 грн
100+44.50 грн
500+32.87 грн
1000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD65R950CFDATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA, Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції IPD65R950CFDATMA2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD65R950CFDATMA2 IPD65R950CFDATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD65R950CFD-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a7335ee3163 Description: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA2 IPD65R950CFDATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD65R950CFD-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA2 Infineon-IPD65R950CFD-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a7335ee3163
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA2 Infineon-IPD65R950CFD-DataSheet-v02_02-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.