Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70N03S4L04ATMA1
IPD70N03S4L04ATMA1

IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies

444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD70N03S4L04ATMA1 за ціною від 24.17 грн до 62.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
854+36.43 грн
1000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 854
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
854+36.43 грн
1000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 854
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
854+36.43 грн
1000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 854
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
854+36.43 грн
1000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 854
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
321+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 321
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.63 грн
500+30.45 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+54.72 грн
231+54.00 грн
235+53.06 грн
240+50.07 грн
2000+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+58.68 грн
25+57.94 грн
100+48.19 грн
250+44.18 грн
500+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.93 грн
10+53.95 грн
100+41.19 грн
500+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70N03S4L-04-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 12242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.59 грн
10+57.62 грн
100+38.90 грн
500+26.24 грн
1000+26.01 грн
2500+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.58 грн
100+48.63 грн
500+30.45 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 30V; 70A; 68W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.