IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 31.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD70N03S4L04ATMA1 за ціною від 25.53 грн до 116.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD70N03S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD70N03S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD70N03S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD70N03S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD70N03S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD70N03S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD70N03S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD70N03S4L04ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD70N03S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD70N03S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
на замовлення 13389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD70N03S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD70N03S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPD70N03S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPD70N03S4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |