Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70N03S4L04ATMA1
IPD70N03S4L04ATMA1

IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies

444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.

Інші пропозиції IPD70N03S4L04ATMA1 за ціною від 34.01 грн до 113.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
854+41.15 грн
1000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
854+41.15 грн
1000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
854+41.15 грн
1000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
854+41.15 грн
1000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+61.82 грн
231+61.00 грн
235+59.94 грн
240+56.56 грн
2000+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.87 грн
25+61.09 грн
100+50.81 грн
250+46.58 грн
500+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.15 грн
10+69.16 грн
100+46.13 грн
500+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 INFINEON INFNS10794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD70N03S4L_04_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 9352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 INFINEON INFNS10794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf
IPD70N03S4L04ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf
IPD70N03S4L04ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
854+41.15 грн
1000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf
IPD70N03S4L04ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
854+41.15 грн
1000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf
IPD70N03S4L04ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
854+41.15 грн
1000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf
IPD70N03S4L04ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
854+41.15 грн
1000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf
IPD70N03S4L04ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
321+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf
IPD70N03S4L04ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
228+61.82 грн
231+61.00 грн
235+59.94 грн
240+56.56 грн
2000+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf
IPD70N03S4L04ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+61.87 грн
25+61.09 грн
100+50.81 грн
250+46.58 грн
500+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t
IPD70N03S4L04ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.15 грн
10+69.16 грн
100+46.13 грн
500+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 INFNS10794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70N03S4L04ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon_IPD70N03S4L_04_DS_v02_01_EN.pdf
IPD70N03S4L04ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 9352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 INFNS10794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70N03S4L04ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.