Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70N03S4L04ATMA1
IPD70N03S4L04ATMA1

IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPD70N03S4L04ATMA1 за ціною від 32.38 грн до 97.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+68.3 грн
500+ 52.3 грн
1000+ 38.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 5032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.88 грн
10+ 74.13 грн
100+ 57.7 грн
500+ 45.9 грн
1000+ 37.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD70N03S4L_04_DS_v02_01_EN-1731893.pdf MOSFET N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 14545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.02 грн
10+ 76.78 грн
100+ 52.34 грн
500+ 44.4 грн
1000+ 36.12 грн
2500+ 34.05 грн
5000+ 32.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+97.36 грн
10+ 87.62 грн
100+ 68.3 грн
500+ 52.3 грн
1000+ 38.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 444ipd70n03s4l-04_ds_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b426f7da3b27.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній