IPD70N10S3-12 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 244.31 грн |
| 63+ | 234.99 грн |
| 100+ | 227.03 грн |
| 250+ | 212.28 грн |
| 500+ | 191.20 грн |
| 1000+ | 179.07 грн |
| 2500+ | 175.12 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
60 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD70N10S3-12 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 70A; Idm: 280A; 125W; DPAK3, Pulsed drain current: 280A, Power dissipation: 125W, Gate charge: 51nC, Drain current: 70A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Application: automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Case: DPAK3, On-state resistance: 11.1mΩ, Mounting: SMD.
Інші пропозиції IPD70N10S3-12 за ціною від 71.17 грн до 251.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD70N10S3-12 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T |
на замовлення 1352 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPD70N10S3-12 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 70A; Idm: 280A; 125W; DPAK3 Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 125W Gate charge: 51nC Drain current: 70A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK3 On-state resistance: 11.1mΩ Mounting: SMD |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPD70N10S3-12 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T
MOSFETs N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 251.04 грн |
| 10+ | 123.73 грн |
| 100+ | 97.05 грн |
| 500+ | 78.25 грн |
| 1000+ | 77.49 грн |
| 2500+ | 71.17 грн |
| IPD70N10S3-12 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 70A; Idm: 280A; 125W; DPAK3
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 51nC
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK3
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 70A; Idm: 280A; 125W; DPAK3
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 51nC
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK3
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 171.89 грн |
| 30+ | 127.35 грн |
| 50+ | 120.56 грн |
| 100+ | 116.32 грн |
| 300+ | 101.03 грн |