Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70N10S312ATMA1
IPD70N10S312ATMA1

IPD70N10S312ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
342+41.33 грн
356+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70N10S312ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD70N10S312ATMA1 за ціною від 67.25 грн до 237.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908858535951&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.59 грн
7500+67.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+164.64 грн
500+148.18 грн
1000+136.42 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+164.64 грн
500+148.18 грн
1000+136.42 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+164.64 грн
500+148.18 грн
1000+136.42 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+224.85 грн
91+155.23 грн
100+151.47 грн
500+124.29 грн
1000+94.92 грн
2000+74.11 грн
2500+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.49 грн
10+156.24 грн
25+154.67 грн
100+126.91 грн
250+98.12 грн
500+93.25 грн
1000+89.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.49 грн
91+156.24 грн
92+154.67 грн
108+126.91 грн
250+98.12 грн
500+93.25 грн
1000+89.28 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 IPD70N10S312ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908858535951&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.35 грн
10+148.64 грн
50+114.31 грн
100+96.89 грн
500+78.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908858535951&ack=t
IPD70N10S312ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+73.59 грн
7500+67.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD70N10S312ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+95.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD70N10S312ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+95.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD70N10S312ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
215+164.64 грн
500+148.18 грн
1000+136.42 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD70N10S312ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
215+164.64 грн
500+148.18 грн
1000+136.42 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD70N10S312ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
215+164.64 грн
500+148.18 грн
1000+136.42 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD70N10S312ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+224.85 грн
91+155.23 грн
100+151.47 грн
500+124.29 грн
1000+94.92 грн
2000+74.11 грн
2500+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD70N10S312ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+225.49 грн
10+156.24 грн
25+154.67 грн
100+126.91 грн
250+98.12 грн
500+93.25 грн
1000+89.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 infineon-ipd70n10s3-12-datasheet-v01_02-en.pdf
IPD70N10S312ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+225.49 грн
91+156.24 грн
92+154.67 грн
108+126.91 грн
250+98.12 грн
500+93.25 грн
1000+89.28 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1 Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908858535951&ack=t
IPD70N10S312ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.35 грн
10+148.64 грн
50+114.31 грн
100+96.89 грн
500+78.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.