IPD70N10S3L12ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 76.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD70N10S3L12ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPD70N10S3L12ATMA1 за ціною від 74.65 грн до 169.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD70N10S3L12ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70N10S3L12ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70N10S3L12ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70N10S3L12ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70N10S3L12ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD70N10S3L12ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70N10S3L12ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70N10S3L12ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70N10S3L12ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70N10S3L12ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70N10S3L12ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD70N10S3L12ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD70N10S3L12ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |