Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70N10S3L12ATMA1
IPD70N10S3L12ATMA1

IPD70N10S3L12ATMA1 Infineon Technologies

ipd70n10s3l-12.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70N10S3L12ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD70N10S3L12ATMA1 за ціною від 65.87 грн до 232.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3l-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+72.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3l-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+76.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3l-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+78.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3l-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3l-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+87.49 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3l-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+89.53 грн
10+88.15 грн
25+86.77 грн
100+82.33 грн
250+75.00 грн
500+70.82 грн
1000+69.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.36 грн
500+74.23 грн
1000+65.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3l-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
286+106.50 грн
500+102.44 грн
1000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3l-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
286+106.50 грн
500+102.44 грн
1000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70n10s3l-12-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
286+106.50 грн
500+102.44 грн
1000+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.08 грн
50+100.13 грн
100+90.36 грн
500+74.23 грн
1000+65.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70N10S3L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043183a955501188996d3f9675c&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.35 грн
10+145.59 грн
100+101.04 грн
500+76.94 грн
1000+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70N10S3L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043183a955501188996d3f9675c&ack=t IPD70N10S3L12ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70N10S3L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043183a955501188996d3f9675c&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.