Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70N12S311ATMA1
IPD70N12S311ATMA1

IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD70N12S311ATMA1 за ціною від 62.82 грн до 227.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+108.24 грн
500+103.64 грн
1000+97.87 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+108.24 грн
500+103.64 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+108.24 грн
500+103.64 грн
1000+97.87 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+108.24 грн
500+103.64 грн
1000+97.87 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+111.17 грн
138+106.19 грн
250+101.94 грн
500+94.75 грн
1000+84.87 грн
2500+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+150.14 грн
105+140.37 грн
136+108.39 грн
200+99.69 грн
500+85.34 грн
2000+81.72 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6 Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.41 грн
10+121.19 грн
100+83.46 грн
500+64.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD70N12S3_11_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(120V,300V)
на замовлення 14440 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+227.34 грн
10+131.51 грн
100+83.51 грн
500+71.17 грн
1000+67.26 грн
2500+62.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 INFINEON Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6 Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003258002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
339+108.24 грн
500+103.64 грн
1000+97.87 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
339+108.24 грн
500+103.64 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
339+108.24 грн
500+103.64 грн
1000+97.87 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
339+108.24 грн
500+103.64 грн
1000+97.87 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
132+111.17 грн
138+106.19 грн
250+101.94 грн
500+94.75 грн
1000+84.87 грн
2500+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+150.14 грн
105+140.37 грн
136+108.39 грн
200+99.69 грн
500+85.34 грн
2000+81.72 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+194.41 грн
10+121.19 грн
100+83.46 грн
500+64.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 Infineon_IPD70N12S3_11_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(120V,300V)
на замовлення 14440 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.34 грн
10+131.51 грн
100+83.51 грн
500+71.17 грн
1000+67.26 грн
2500+62.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 INFN-S-A0003258002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.