IPD70N12S311ATMA1

IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD70N12S311ATMA1 за ціною від 52.78 грн до 191.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003258002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.62 грн
250+71.72 грн
1000+62.15 грн
5000+56.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
339+103.11 грн
500+98.73 грн
1000+93.24 грн
Мінімальне замовлення: 339
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
339+103.11 грн
500+98.73 грн
Мінімальне замовлення: 339
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
339+103.11 грн
500+98.73 грн
1000+93.24 грн
Мінімальне замовлення: 339
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
339+103.11 грн
500+98.73 грн
1000+93.24 грн
Мінімальне замовлення: 339
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
132+105.91 грн
138+101.17 грн
250+97.11 грн
500+90.26 грн
1000+80.85 грн
2500+75.32 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+143.03 грн
105+133.73 грн
136+103.26 грн
200+94.97 грн
500+81.30 грн
2000+77.85 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD70N12S3_11_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(120V,300V)
на замовлення 16527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.85 грн
10+94.37 грн
100+68.15 грн
500+60.43 грн
1000+58.76 грн
2500+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6 Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.02 грн
10+117.64 грн
100+88.43 грн
500+66.45 грн
1000+57.23 грн
5000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6 Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.67 грн
10+119.48 грн
100+82.28 грн
500+63.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.