IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IPD70N12S311ATMA1 за ціною від 58.85 грн до 212.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6 Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.27 грн
10+121.10 грн
100+83.40 грн
500+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD70N12S3_11_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(120V,300V)
на замовлення 14440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.97 грн
10+123.20 грн
100+78.24 грн
500+66.68 грн
1000+63.01 грн
2500+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+194.27 грн
10+121.10 грн
100+83.40 грн
500+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 Infineon_IPD70N12S3_11_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(120V,300V)
на замовлення 14440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+212.97 грн
10+123.20 грн
100+78.24 грн
500+66.68 грн
1000+63.01 грн
2500+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.