Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70N12S311ATMA1
IPD70N12S311ATMA1

IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD70N12S311ATMA1 за ціною від 62.43 грн до 188.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+103.81 грн
500+99.40 грн
1000+93.88 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+103.81 грн
500+99.40 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+103.81 грн
500+99.40 грн
1000+93.88 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+103.81 грн
500+99.40 грн
1000+93.88 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+106.63 грн
138+101.86 грн
250+97.77 грн
500+90.87 грн
1000+81.40 грн
2500+75.83 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+144.00 грн
105+134.64 грн
136+103.96 грн
200+95.62 грн
500+81.85 грн
2000+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6 Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.58 грн
10+117.56 грн
100+80.96 грн
500+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD70N12S3_11_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(120V,300V)
на замовлення 14440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 INFINEON Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6 Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003258002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
339+103.81 грн
500+99.40 грн
1000+93.88 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
339+103.81 грн
500+99.40 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
339+103.81 грн
500+99.40 грн
1000+93.88 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
339+103.81 грн
500+99.40 грн
1000+93.88 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
132+106.63 грн
138+101.86 грн
250+97.77 грн
500+90.87 грн
1000+81.40 грн
2500+75.83 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+144.00 грн
105+134.64 грн
136+103.96 грн
200+95.62 грн
500+81.85 грн
2000+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.58 грн
10+117.56 грн
100+80.96 грн
500+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 Infineon_IPD70N12S3_11_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(120V,300V)
на замовлення 14440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 INFN-S-A0003258002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.