IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 39.60 грн |
| 5000+ | 35.55 грн |
| 7500+ | 35.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD70P04P409ATMA2 за ціною від 36.21 грн до 128.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD70P04P409ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Power MOSFET Transistor |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD70P04P409ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD70P04P409ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 8072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70P04P409ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70P04P409ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD70P04P409ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 2336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70P04P409ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70P04P409ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70P04P409ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD70P04P409ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |