Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70P04P409ATMA2
IPD70P04P409ATMA2

IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD70P04P4_09-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9c0b0b5c51
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD70P04P409ATMA2 за ціною від 37.81 грн до 134.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies ipd70p04p4-09_ds_10.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+80.07 грн
Мінімальне замовлення: 439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies ipd70p04p4-09_ds_10.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+80.07 грн
Мінімальне замовлення: 439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies ipd70p04p4-09_ds_10.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.54 грн
171+82.51 грн
223+63.22 грн
229+59.25 грн
2000+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD70P04P4_09-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9c0b0b5c51 Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.70 грн
10+82.65 грн
100+55.59 грн
500+41.31 грн
1000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD70P04P4_09_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 INFINEON INFNS15023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 IPD70P04P409ATMA2 INFINEON INFNS15023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 ipd70p04p4-09_ds_10.pdf
IPD70P04P409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
439+80.07 грн
Мінімальне замовлення: 439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 ipd70p04p4-09_ds_10.pdf
IPD70P04P409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
439+80.07 грн
Мінімальне замовлення: 439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 ipd70p04p4-09_ds_10.pdf
IPD70P04P409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+86.54 грн
171+82.51 грн
223+63.22 грн
229+59.25 грн
2000+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 Infineon-IPD70P04P4_09-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129db9c0b0b5c51
IPD70P04P409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.70 грн
10+82.65 грн
100+55.59 грн
500+41.31 грн
1000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 Infineon_IPD70P04P4_09_DS_v01_00_en.pdf
IPD70P04P409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 INFNS15023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70P04P409ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2 INFNS15023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70P04P409ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.