Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70P04P4L08ATMA1
IPD70P04P4L08ATMA1

IPD70P04P4L08ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD70P04P4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+40.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70P04P4L08ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD70P04P4L08ATMA1 за ціною від 34.04 грн до 144.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD70P04P4L08ATMA1 IPD70P04P4L08ATMA1 INFINEON Infineon-IPD70P04P4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.29 грн
500+40.24 грн
1000+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA1 IPD70P04P4L08ATMA1 INFINEON Infineon-IPD70P04P4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.15 грн
10+87.99 грн
100+59.29 грн
500+40.24 грн
1000+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA1 IPD70P04P4L08ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70P04P4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.31 грн
10+88.42 грн
100+59.66 грн
500+44.44 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA1 Infineon-IPD70P04P4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf
IPD70P04P4L08ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+59.29 грн
500+40.24 грн
1000+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA1 Infineon-IPD70P04P4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf
IPD70P04P4L08ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+138.15 грн
10+87.99 грн
100+59.29 грн
500+40.24 грн
1000+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA1 Infineon-IPD70P04P4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf
IPD70P04P4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+144.31 грн
10+88.42 грн
100+59.66 грн
500+44.44 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.