IPD70P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 40.06 грн |
| 5000+ | 35.97 грн |
| 7500+ | 35.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD70P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPD70P04P4L08ATMA2 за ціною від 31.92 грн до 154.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD70P04P4L08ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD70P04P4L08ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD70P04P4L08ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD70P04P4L08ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 14169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD70P04P4L08ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD70P04P4L08ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 11799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD70P04P4L08ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD70P04P4L08ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 16478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD70P04P4L08ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD70P04P4L08ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IPD70P04P4L08ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |