Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70P04P4L08ATMA2
IPD70P04P4L08ATMA2

IPD70P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD70P04P4L-08-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+40.61 грн
5000+36.45 грн
7500+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD70P04P4L08ATMA2 за ціною від 32.35 грн до 157.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 INFINEON 2876649.pdf Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.39 грн
500+52.00 грн
1000+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD70P04P4L-08-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.67 грн
10+76.20 грн
100+56.05 грн
500+42.54 грн
1000+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD70P04P4L_08_DataSheet_v01_21_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 16478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.65 грн
10+70.44 грн
100+47.43 грн
500+39.61 грн
1000+38.06 грн
2500+33.62 грн
5000+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 INFINEON 2876649.pdf Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.06 грн
50+101.14 грн
100+70.39 грн
500+52.00 грн
1000+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 2876649.pdf
IPD70P04P4L08ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+70.39 грн
500+52.00 грн
1000+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 Infineon-IPD70P04P4L-08-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf
IPD70P04P4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+104.67 грн
10+76.20 грн
100+56.05 грн
500+42.54 грн
1000+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 Infineon_IPD70P04P4L_08_DataSheet_v01_21_EN.pdf
IPD70P04P4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 16478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+112.65 грн
10+70.44 грн
100+47.43 грн
500+39.61 грн
1000+38.06 грн
2500+33.62 грн
5000+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 2876649.pdf
IPD70P04P4L08ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+157.06 грн
50+101.14 грн
100+70.39 грн
500+52.00 грн
1000+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.