Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70P04P4L08ATMA2
IPD70P04P4L08ATMA2

IPD70P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD70P04P4L-08-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.24 грн
5000+39.71 грн
7500+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD70P04P4L08ATMA2 за ціною від 31.41 грн до 127.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70p04p4l-08-datasheet-v01_21-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 Виробник : INFINEON 2876649.pdf Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.83 грн
500+42.76 грн
1000+37.39 грн
5000+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70p04p4l-08-datasheet-v01_21-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
432+73.31 грн
Мінімальне замовлення: 432
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70p04p4l-08-datasheet-v01_21-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
432+73.31 грн
Мінімальне замовлення: 432
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70p04p4l-08-datasheet-v01_21-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
160+79.31 грн
170+74.76 грн
223+56.80 грн
232+52.58 грн
1000+48.61 грн
2000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70p04p4l-08-datasheet-v01_21-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+83.41 грн
159+79.69 грн
250+76.49 грн
500+71.09 грн
1000+63.68 грн
2500+59.32 грн
5000+57.73 грн
10000+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70P04P4L-08-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78225bd32dbf Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.03 грн
10+83.02 грн
100+61.07 грн
500+46.35 грн
1000+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 Виробник : INFINEON 2876649.pdf Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+124.52 грн
12+80.09 грн
100+60.83 грн
500+42.76 грн
1000+37.39 грн
5000+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD70P04P4L_08_DataSheet_v01_21_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 16478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.64 грн
10+79.81 грн
100+53.74 грн
500+44.88 грн
1000+43.12 грн
2500+38.09 грн
5000+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70p04p4l-08-datasheet-v01_21-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70p04p4l-08-datasheet-v01_21-en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2 IPD70P04P4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70p04p4l-08-datasheet-v01_21-en.pdf Power MOSFET Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.