Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70R1K4CEAUMA1
IPD70R1K4CEAUMA1

IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies

193infineon-ips70r1k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a40153a2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD70R1K4CEAUMA1 за ціною від 15.96 грн до 91.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD70R1K4CEAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1 Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.63 грн
5000+21.01 грн
7500+20.12 грн
12500+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1 Description: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.88 грн
500+26.20 грн
1000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.55 грн
10+50.77 грн
100+29.18 грн
500+22.64 грн
1000+20.51 грн
2500+18.01 грн
5000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 193infineon-ips70r1k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a40153a2.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+81.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002470602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.08 грн
17+53.10 грн
100+35.88 грн
500+26.20 грн
1000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1 Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.23 грн
10+55.17 грн
100+36.30 грн
500+26.46 грн
1000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 193infineon-ips70r1k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a40153a2.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 193infineon-ips70r1k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a40153a2.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA4D44D75DC6143&compId=IPD70R1K4CE.pdf?ci_sign=8821a931a63b6311387b5b0483f346f3de769995 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 53W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA4D44D75DC6143&compId=IPD70R1K4CE.pdf?ci_sign=8821a931a63b6311387b5b0483f346f3de769995 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 53W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.