IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 931+ | 13.97 грн |
| 991+ | 13.12 грн |
| 1001+ | 12.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.7W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD70R1K4P7SAUMA1 за ціною від 10.02 грн до 71.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD70R1K4P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70R1K4P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70R1K4P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD70R1K4P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70R1K4P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70R1K4P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD70R1K4P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70R1K4P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD70R1K4P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 18283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70R1K4P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V |
на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70R1K4P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
товару немає в наявності |