Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70R1K4P7SAUMA1
IPD70R1K4P7SAUMA1

IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.7W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD70R1K4P7SAUMA1 за ціною від 9.59 грн до 74.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
931+13.36 грн
991+12.55 грн
1001+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 931
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+15.37 грн
50+14.32 грн
100+12.97 грн
250+11.89 грн
500+11.12 грн
1000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.91 грн
5000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5 Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.56 грн
5000+16.43 грн
7500+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1565+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 1565
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : INFINEON 2371107.pdf Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.90 грн
500+18.94 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R1K4P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.15 грн
16+26.46 грн
50+21.98 грн
100+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : INFINEON 2371107.pdf Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.23 грн
50+30.30 грн
100+22.90 грн
500+18.94 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R1K4P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.38 грн
10+32.97 грн
50+26.38 грн
100+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD70R1K4P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 18283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.65 грн
11+33.80 грн
100+22.02 грн
500+18.34 грн
1000+15.58 грн
2500+12.81 грн
5000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5 Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.70 грн
10+44.60 грн
100+29.05 грн
500+20.99 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.