
IPD70R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1342+ | 22.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD70R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPD70R2K0CEAUMA1 за ціною від 22.74 грн до 24.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD70R2K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IPD70R2K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IPD70R2K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IPD70R2K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IPD70R2K0CEAUMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IPD70R2K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
![]() |
IPD70R2K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
IPD70R2K0CEAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
IPD70R2K0CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |