Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > IPD70R2K0CEAUMA1
IPD70R2K0CEAUMA1

IPD70R2K0CEAUMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Infineon-IPD70R2K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539ebc2c39500f Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD70R2K0CEAUMA1 - IPD70R2K0 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1056+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 1056
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70R2K0CEAUMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD70R2K0CEAUMA1 за ціною від 23.98 грн до 26.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD70R2K0CEAUMA1 IPD70R2K0CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 225infineon-ipd70r2k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1126+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 1126
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1 IPD70R2K0CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 225infineon-ipd70r2k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1126+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 1126
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1 IPD70R2K0CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 225infineon-ipd70r2k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1126+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 1126
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1 IPD70R2K0CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 225infineon-ipd70r2k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1126+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 1126
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1 IPD70R2K0CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 225infineon-ipd70r2k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1126+26.90 грн
10000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 1126
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1 IPD70R2K0CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R2K0CE-DS-v02_00-EN-1731878.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1 IPD70R2K0CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 225infineon-ipd70r2k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1 IPD70R2K0CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA4DCF24664E143&compId=IPD70R2K0CE.pdf?ci_sign=83b0084754032b021490f316431813b1ce1b99b5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.6A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1 IPD70R2K0CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R2K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539ebc2c39500f Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1 IPD70R2K0CEAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA4DCF24664E143&compId=IPD70R2K0CE.pdf?ci_sign=83b0084754032b021490f316431813b1ce1b99b5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.6A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.