IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.86 грн |
| 7500+ | 23.86 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPD70R360P7SAUMA1 за ціною від 22.29 грн до 104.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD70R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD70R360P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7.5A Power dissipation: 59.5W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD70R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD70R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD70R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPD70R360P7SAUMA1 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 10V; 360mOhm; 12,5A; 59,5W; -40°C ~ 150°C; IPD70R360P7S TIPD70r360p7sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| IPD70R360P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 49.27 грн |
| 18+ | 42.26 грн |
| 25+ | 40.89 грн |
| 100+ | 34.06 грн |
| 250+ | 22.29 грн |
| IPD70R360P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 84.90 грн |
| 7+ | 61.39 грн |
| 10+ | 50.91 грн |
| 20+ | 41.26 грн |
| 50+ | 35.64 грн |
| IPD70R360P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 104.25 грн |
| 10+ | 63.33 грн |
| 50+ | 47.28 грн |
| 100+ | 39.49 грн |
| 500+ | 30.92 грн |
| IPD70R360P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 135+ | 104.94 грн |
| 211+ | 67.28 грн |
| 290+ | 48.82 грн |
| 500+ | 38.46 грн |
| 1000+ | 32.33 грн |
| 2500+ | 25.69 грн |
| IPD70R360P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD70R360P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 10V; 360mOhm; 12,5A; 59,5W; -40°C ~ 150°C; IPD70R360P7S TIPD70r360p7s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 10V; 360mOhm; 12,5A; 59,5W; -40°C ~ 150°C; IPD70R360P7S TIPD70r360p7s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 23.16 грн |




