Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70R360P7SAUMA1
IPD70R360P7SAUMA1

IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd70r360p7s-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.18 грн
7500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 59.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm.

Інші пропозиції IPD70R360P7SAUMA1 за ціною від 23.04 грн до 109.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd70r360p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.91 грн
18+43.67 грн
25+42.26 грн
100+35.20 грн
250+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.76 грн
7+62.01 грн
10+51.42 грн
20+41.68 грн
50+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd70r360p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+108.45 грн
211+69.52 грн
290+50.45 грн
500+39.75 грн
1000+33.41 грн
2500+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.27 грн
10+66.34 грн
50+49.51 грн
100+41.37 грн
500+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002815973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 59.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd70r360p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002815973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 59.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 Infineon infineon-ipd70r360p7s-datasheet-cn.pdf IPD70R360P7S Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 10V; 360mOhm; 12,5A; 59,5W; -40°C ~ 150°C; TIPD70r360p7s
на замовлення 500 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
27+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 infineonipd70r360p7sdatasheetv0202en.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+50.91 грн
18+43.67 грн
25+42.26 грн
100+35.20 грн
250+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7S.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+85.76 грн
7+62.01 грн
10+51.42 грн
20+41.68 грн
50+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 infineonipd70r360p7sdatasheetv0202en.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
135+108.45 грн
211+69.52 грн
290+50.45 грн
500+39.75 грн
1000+33.41 грн
2500+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 infineon-ipd70r360p7s-datasheet-cn.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.27 грн
10+66.34 грн
50+49.51 грн
100+41.37 грн
500+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 INFN-S-A0002815973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 59.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 infineonipd70r360p7sdatasheetv0202en.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 INFN-S-A0002815973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 59.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 infineon-ipd70r360p7s-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon
IPD70R360P7S Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 10V; 360mOhm; 12,5A; 59,5W; -40°C ~ 150°C; TIPD70r360p7s
на замовлення 500 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.