Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70R360P7SAUMA1
IPD70R360P7SAUMA1

IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fb1440d5c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD70R360P7SAUMA1 за ціною від 16.66 грн до 63.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+25.03 грн
26+23.62 грн
100+20.93 грн
250+19.26 грн
500+17.95 грн
1000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
480+25.44 грн
522+23.38 грн
526+23.23 грн
541+21.75 грн
1000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 480
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002815973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.14 грн
500+27.83 грн
1000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD70R360P7S_DataSheet_v02_02_EN-3362786.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 167951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.72 грн
11+32.26 грн
25+27.91 грн
100+23.89 грн
250+23.81 грн
500+23.07 грн
1000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
297+41.16 грн
343+35.63 грн
362+33.76 грн
500+28.94 грн
1000+23.82 грн
2500+21.06 грн
5000+20.64 грн
10000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 297
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fb1440d5c Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 95287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.10 грн
10+40.07 грн
100+30.94 грн
500+27.85 грн
1000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1A620EEC88259&compId=IPD70R360P7S.pdf?ci_sign=1495246343ec5ba186668327700251c676370953 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+59.70 грн
25+50.42 грн
26+43.53 грн
69+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1A620EEC88259&compId=IPD70R360P7S.pdf?ci_sign=1495246343ec5ba186668327700251c676370953 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.77 грн
9+47.90 грн
25+42.01 грн
26+36.28 грн
69+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002815973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+63.44 грн
50+46.58 грн
100+35.14 грн
500+27.83 грн
1000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.