Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70R360P7SAUMA1
IPD70R360P7SAUMA1

IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd70r360p7s-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.12 грн
7500+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD70R360P7SAUMA1 за ціною від 22.44 грн до 105.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd70r360p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.60 грн
18+42.54 грн
25+41.17 грн
100+34.29 грн
250+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.54 грн
7+60.41 грн
10+50.09 грн
20+40.60 грн
50+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.90 грн
10+63.88 грн
50+47.71 грн
100+39.86 грн
500+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd70r360p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+105.65 грн
211+67.73 грн
290+49.15 грн
500+38.72 грн
1000+32.54 грн
2500+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd70r360p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 infineonipd70r360p7sdatasheetv0202en.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+49.60 грн
18+42.54 грн
25+41.17 грн
100+34.29 грн
250+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7S.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.54 грн
7+60.41 грн
10+50.09 грн
20+40.60 грн
50+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 infineon-ipd70r360p7s-datasheet-cn.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.90 грн
10+63.88 грн
50+47.71 грн
100+39.86 грн
500+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 infineonipd70r360p7sdatasheetv0202en.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
135+105.65 грн
211+67.73 грн
290+49.15 грн
500+38.72 грн
1000+32.54 грн
2500+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 infineonipd70r360p7sdatasheetv0202en.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.