Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70R600CEAUMA1
IPD70R600CEAUMA1

IPD70R600CEAUMA1 Infineon Technologies

328infineon-ipd70r600ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
759+40.13 грн
1000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 759
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70R600CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPD70R600CEAUMA1 за ціною від 37.90 грн до 101.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD70R600CEAUMA1 IPD70R600CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 328infineon-ipd70r600ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
759+40.13 грн
1000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 759
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEAUMA1 IPD70R600CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R600CE-DS-v02_00-EN-1731789.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.89 грн
10+90.31 грн
100+60.91 грн
500+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEAUMA1 IPD70R600CEAUMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPD70R600CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539ed7bcca509d Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD70R600CEAUMA1 - IPD70R600 - 700V, 0.6OHM, N-CHANEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEAUMA1 IPD70R600CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies 328infineon-ipd70r600ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a401539e.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEAUMA1 IPD70R600CEAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R600CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539ed7bcca509d Description: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.