Продукція > INFINEON > IPD70R600P7S

IPD70R600P7S Infineon

Виробник: Infineon

на замовлення 255000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис IPD70R600P7S Infineon

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 5A, Power dissipation: 43.1W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 0.6Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції IPD70R600P7S

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IPD70R600P7S	Infineon / IR	MOSFETs CONSUMER	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	IPD70R600P7SAUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5A Power dissipation: 43.1W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн.

IPD70R600P7S

Виробник: Infineon / IR
MOSFETs CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD70R600P7SAUMA1

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.