Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD70R600P7SAUMA1

IPD70R600P7SAUMA1

Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79
Код товару: 143681
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD70R600P7SAUMA1 за ціною від 14.45 грн до 87.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.72 грн
5000+16.62 грн
7500+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD70R600P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 6425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.42 грн
13+25.78 грн
100+18.25 грн
500+16.63 грн
1000+15.79 грн
2500+14.52 грн
25000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.35 грн
500+29.32 грн
1000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 11320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+45.58 грн
100+29.88 грн
500+21.70 грн
1000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.16 грн
50+44.90 грн
100+36.35 грн
500+29.32 грн
1000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79
IPD70R600P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+18.72 грн
5000+16.62 грн
7500+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 Infineon_IPD70R600P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPD70R600P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 6425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.42 грн
13+25.78 грн
100+18.25 грн
500+16.63 грн
1000+15.79 грн
2500+14.52 грн
25000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79
IPD70R600P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+36.35 грн
500+29.32 грн
1000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79
IPD70R600P7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 11320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+75.33 грн
10+45.58 грн
100+29.88 грн
500+21.70 грн
1000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79
IPD70R600P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+87.16 грн
50+44.90 грн
100+36.35 грн
500+29.32 грн
1000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.