Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70R600P7SAUMA1
IPD70R600P7SAUMA1

IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43.1W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD70R600P7SAUMA1 за ціною від 16.06 грн до 75.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.84 грн
5000+19.07 грн
7500+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+26.27 грн
25+26.00 грн
100+22.45 грн
250+20.59 грн
500+17.54 грн
1000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
435+28.00 грн
486+25.07 грн
491+24.83 грн
553+21.25 грн
1000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 435
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
357+34.19 грн
358+34.08 грн
500+33.37 грн
5000+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 357
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002815953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.91 грн
500+25.00 грн
1000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.55 грн
18+47.59 грн
100+35.65 грн
500+25.61 грн
1000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 9784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.27 грн
10+44.49 грн
100+34.07 грн
500+24.80 грн
1000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD70R600P7S_DataSheet_v02_02_EN-3362635.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.69 грн
10+51.74 грн
100+33.10 грн
500+27.89 грн
1000+25.32 грн
2500+20.48 грн
5000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1
Код товару: 143681
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R600P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R600P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.