Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70R600P7SAUMA1
IPD70R600P7SAUMA1

IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
775+16.48 грн
787+16.22 грн
800+15.96 грн
814+15.13 грн
1000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 775
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43.1W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD70R600P7SAUMA1 за ціною від 14.17 грн до 80.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+17.94 грн
42+17.65 грн
100+16.76 грн
250+15.27 грн
500+14.41 грн
1000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.11 грн
5000+17.85 грн
7500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.13 грн
5000+19.92 грн
7500+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.62 грн
5000+21.39 грн
7500+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1156+27.61 грн
10000+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 1156
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
454+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 454
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002815953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.47 грн
500+24.60 грн
1000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD70R600P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 6425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.98 грн
13+28.79 грн
100+20.39 грн
500+18.58 грн
1000+17.63 грн
2500+16.22 грн
25000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002815953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+45.75 грн
50+39.21 грн
100+30.47 грн
500+24.60 грн
1000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 11320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.90 грн
10+48.96 грн
100+32.09 грн
500+23.30 грн
1000+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1
Код товару: 143681
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R600P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.