IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.3 грн |
| 5000+ | 19.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43.1W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD70R600P7SAUMA1 за ціною від 16.86 грн до 78.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 43.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 43.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V |
на замовлення 12888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IPD70R600P7SAUMA1 Код товару: 143681 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
 |
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5A Power dissipation: 43.1W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5A Power dissipation: 43.1W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |