IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 775+ | 16.78 грн |
| 787+ | 16.52 грн |
| 800+ | 16.25 грн |
| 814+ | 15.41 грн |
| 1000+ | 14.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43.1W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD70R600P7SAUMA1 за ціною від 14.39 грн до 75.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 43.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 6425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 43.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V |
на замовлення 11320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPD70R600P7SAUMA1 Код товару: 143681
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IPD70R600P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
товару немає в наявності |