
IPD70R900P7SAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 14.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD70R900P7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD70R900P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPD70R900P7SAUMA1 за ціною від 14.76 грн до 44.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD70R900P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPD70R900P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPD70R900P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 420000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPD70R900P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPD70R900P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPD70R900P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPD70R900P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V |
на замовлення 6604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPD70R900P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPD70R900P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 20544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IPD70R900P7SAUMA1 (70S900P7) Код товару: 201266
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPD70R900P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPD70R900P7SAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPD70R900P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.5A Power dissipation: 30.5W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPD70R900P7SAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.5A Power dissipation: 30.5W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |