IPD70R900P7SAUMA1 (70S900P7)


Код товару: 201266
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD70R900P7SAUMA1 (70S900P7) за ціною від 13.42 грн до 81.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r900p7s-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Виробник : INFINEON infineon-ipd70r900p7s-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPD70R900P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.51 грн
500+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R900P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.99 грн
13+32.81 грн
100+21.93 грн
500+17.33 грн
1000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r900p7s-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 4105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.72 грн
10+39.78 грн
100+25.90 грн
500+18.72 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD70R900P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 19331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.26 грн
10+42.62 грн
100+25.59 грн
500+19.75 грн
1000+17.80 грн
2500+13.77 грн
5000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Виробник : INFINEON infineon-ipd70r900p7s-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPD70R900P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+81.94 грн
18+46.89 грн
100+33.51 грн
500+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd70r900p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.