 
IPD70R950CEAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2500+ | 42.74 грн | 
| 5000+ | 42.57 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD70R950CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V. 
Інші пропозиції IPD70R950CEAUMA1 за ціною від 45.61 грн до 45.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IPD70R950CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||
|   | IPD70R950CEAUMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |  Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD70R950CEAUMA1 - IPD70R950 - POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 174 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||
|   | IPD70R950CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||
|   | IPD70R950CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V | товару немає в наявності | |||||||
|   | IPD70R950CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V | товару немає в наявності | |||||||
|   | IPD70R950CEAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  MOSFET CONSUMER | товару немає в наявності |