IPD78CN10NGATMA1 Infineon
на замовлення 55 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 24.59 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-60 дні (днів)
Мінімальна партія:
26 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD78CN10NGATMA1 Infineon
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 31W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm.
Інші пропозиції IPD78CN10NGATMA1 за ціною від 22.37 грн до 115.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2585000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V |
на замовлення 5244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 8673 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPD78CN10NGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 31W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm |
на замовлення 2847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IPD78CN10NGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 31W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm |
на замовлення 2847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD78CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.03 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.11 грн |
| 5000+ | 25.70 грн |
| 7500+ | 25.44 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.11 грн |
| 5000+ | 25.70 грн |
| 7500+ | 25.44 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 29.66 грн |
| 5000+ | 29.19 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 30.04 грн |
| 5000+ | 29.56 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2585000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 33.31 грн |
| 1295000+ | 30.44 грн |
| 1942500+ | 28.33 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 45.87 грн |
| 21+ | 37.46 грн |
| 25+ | 37.09 грн |
| 100+ | 25.43 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
на замовлення 5244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.97 грн |
| 10+ | 59.93 грн |
| 50+ | 44.57 грн |
| 100+ | 37.19 грн |
| 500+ | 29.01 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 99.75 грн |
| 13+ | 60.50 грн |
| 100+ | 42.59 грн |
| 500+ | 36.08 грн |
| 1000+ | 30.38 грн |
| 2500+ | 24.71 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 146+ | 100.44 грн |
| 240+ | 60.92 грн |
| 341+ | 42.88 грн |
| 500+ | 36.33 грн |
| 1000+ | 30.59 грн |
| 2500+ | 24.87 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 8673 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 115.61 грн |
| 10+ | 49.64 грн |
| 100+ | 32.96 грн |
| 500+ | 27.25 грн |
| 1000+ | 25.45 грн |
| 2500+ | 22.37 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD78CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD78CN10NGATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)