IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.53 грн |
| 5000+ | 19.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD78CN10NGATMA1 за ціною від 21.88 грн до 96.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon |
N-MOSFET 100V 13A 31W 78mΩ IDP78CN10NG TO252-3 TIPD78cn10nкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2585000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V |
на замовлення 10918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPD78CN10NGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPD78CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPD78CN10NGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD78CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 100V 13A 31W 78mΩ IDP78CN10NG TO252-3 TIPD78cn10n
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 100V 13A 31W 78mΩ IDP78CN10NG TO252-3 TIPD78cn10n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 23.64 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.10 грн |
| 5000+ | 24.71 грн |
| 7500+ | 24.45 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.10 грн |
| 5000+ | 24.71 грн |
| 7500+ | 24.45 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 28.51 грн |
| 5000+ | 28.06 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 28.88 грн |
| 5000+ | 28.42 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2585000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 32.02 грн |
| 1295000+ | 29.26 грн |
| 1942500+ | 27.23 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 44.10 грн |
| 21+ | 36.00 грн |
| 25+ | 35.65 грн |
| 100+ | 24.45 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
на замовлення 10918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.90 грн |
| 10+ | 50.48 грн |
| 100+ | 33.14 грн |
| 500+ | 24.13 грн |
| 1000+ | 21.88 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 95.88 грн |
| 13+ | 58.15 грн |
| 100+ | 40.94 грн |
| 500+ | 34.68 грн |
| 1000+ | 29.20 грн |
| 2500+ | 23.75 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 146+ | 96.54 грн |
| 240+ | 58.56 грн |
| 341+ | 41.22 грн |
| 500+ | 34.92 грн |
| 1000+ | 29.40 грн |
| 2500+ | 23.91 грн |
| IPD78CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPD78CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD78CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD78CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





