IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.53 грн
5000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD78CN10NGATMA1 за ціною від 21.88 грн до 96.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon info-tipd78cn10n.pdf N-MOSFET 100V 13A 31W 78mΩ IDP78CN10NG TO252-3 TIPD78cn10n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.10 грн
5000+24.71 грн
7500+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.10 грн
5000+24.71 грн
7500+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.51 грн
5000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.88 грн
5000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2585000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.02 грн
1295000+29.26 грн
1942500+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.10 грн
21+36.00 грн
25+35.65 грн
100+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
на замовлення 10918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.90 грн
10+50.48 грн
100+33.14 грн
500+24.13 грн
1000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.88 грн
13+58.15 грн
100+40.94 грн
500+34.68 грн
1000+29.20 грн
2500+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+96.54 грн
240+58.56 грн
341+41.22 грн
500+34.92 грн
1000+29.40 грн
2500+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP80CN10N_DS_v01_91_en-1731930.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 INFINEON Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 INFINEON Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 info-tipd78cn10n.pdf
Виробник: Infineon
N-MOSFET 100V 13A 31W 78mΩ IDP78CN10NG TO252-3 TIPD78cn10n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.10 грн
5000+24.71 грн
7500+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.10 грн
5000+24.71 грн
7500+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.51 грн
5000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.88 грн
5000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2585000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.02 грн
1295000+29.26 грн
1942500+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+44.10 грн
21+36.00 грн
25+35.65 грн
100+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
на замовлення 10918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.90 грн
10+50.48 грн
100+33.14 грн
500+24.13 грн
1000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+95.88 грн
13+58.15 грн
100+40.94 грн
500+34.68 грн
1000+29.20 грн
2500+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
146+96.54 грн
240+58.56 грн
341+41.22 грн
500+34.92 грн
1000+29.40 грн
2500+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 Infineon_IPP80CN10N_DS_v01_91_en-1731930.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 infineonipp80cn10ndsv0191en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1 Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.