Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80P03P4L07ATMA1
IPD80P03P4L07ATMA1

IPD80P03P4L07ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+58.81 грн
1000+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80P03P4L07ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD80P03P4L07ATMA1 за ціною від 52.87 грн до 127.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD80P03P4L07ATMA1 IPD80P03P4L07ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+58.81 грн
1000+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1 IPD80P03P4L07ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80P03P4L_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24&ack=t Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.48 грн
10+78.40 грн
100+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1 IPD80P03P4L07ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD80P03P4L_07_DataSheet_v02_01_EN-3362482.pdf MOSFET P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 693-702 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1 IPD80P03P4L07ATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPD80P03P4L-07-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD80P03P4L07ATMA1 - IPD80P03 - 20V-150V P-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+58.81 грн
1000+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1 Infineon-IPD80P03P4L_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24&ack=t
IPD80P03P4L07ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.48 грн
10+78.40 грн
100+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1 Infineon_IPD80P03P4L_07_DataSheet_v02_01_EN-3362482.pdf
IPD80P03P4L07ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 693-702 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1 Infineon-IPD80P03P4L-07-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24
IPD80P03P4L07ATMA1
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD80P03P4L07ATMA1 - IPD80P03 - 20V-150V P-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.