IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 36.13 грн |
| 5000+ | 32.43 грн |
| 7500+ | 32.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 88W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm.
Інші пропозиції IPD80P03P4L07ATMA2 за ціною від 36.83 грн до 114.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 11294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 57500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 16152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD80P03P4L07ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 21997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPD80P03P4L07ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 88W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm |
на замовлення 26009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPD80P03P4L07ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 88W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm |
на замовлення 26009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD80P03P4L07ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 45.41 грн |
| 5000+ | 45.29 грн |
| IPD80P03P4L07ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 45.41 грн |
| 5000+ | 45.29 грн |
| IPD80P03P4L07ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 47.81 грн |
| 5000+ | 47.68 грн |
| IPD80P03P4L07ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 59.07 грн |
| 1000+ | 55.79 грн |
| IPD80P03P4L07ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 59.07 грн |
| 1000+ | 55.79 грн |
| IPD80P03P4L07ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 59.07 грн |
| 1000+ | 55.79 грн |
| IPD80P03P4L07ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 60.87 грн |
| IPD80P03P4L07ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 208+ | 68.16 грн |
| 212+ | 66.98 грн |
| 215+ | 66.04 грн |
| 500+ | 63.45 грн |
| 1000+ | 58.64 грн |
| 2000+ | 56.09 грн |
| IPD80P03P4L07ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 80.73 грн |
| IPD80P03P4L07ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.17 грн |
| 10+ | 71.35 грн |
| 100+ | 52.99 грн |
| 500+ | 39.57 грн |
| 1000+ | 36.83 грн |
| IPD80P03P4L07ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 21997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPD80P03P4L07ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 26009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD80P03P4L07ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 26009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




