Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80P03P4L07ATMA2
IPD80P03P4L07ATMA2

IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD80P03P4L-07-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.81 грн
5000+32.14 грн
7500+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD80P03P4L07ATMA2 за ціною від 36.51 грн до 113.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.00 грн
5000+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.00 грн
5000+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.38 грн
5000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+58.55 грн
1000+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+58.55 грн
1000+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+58.55 грн
1000+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+67.56 грн
212+66.39 грн
215+65.45 грн
500+62.89 грн
1000+58.12 грн
2000+55.59 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD80P03P4L-07-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24 Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.15 грн
10+70.71 грн
100+52.52 грн
500+39.22 грн
1000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD80P03P4L_07_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 21997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 INFINEON INFN-S-A0004456885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 INFINEON INFN-S-A0004456885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.00 грн
5000+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.00 грн
5000+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.38 грн
5000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+58.55 грн
1000+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+58.55 грн
1000+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+58.55 грн
1000+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+60.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
208+67.56 грн
212+66.39 грн
215+65.45 грн
500+62.89 грн
1000+58.12 грн
2000+55.59 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+80.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon-IPD80P03P4L-07-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.15 грн
10+70.71 грн
100+52.52 грн
500+39.22 грн
1000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon_IPD80P03P4L_07_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 21997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 INFN-S-A0004456885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 INFN-S-A0004456885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.