Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80P03P4L07ATMA2
IPD80P03P4L07ATMA2

IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD80P03P4L-07-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.54 грн
7500+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 88W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm.

Інші пропозиції IPD80P03P4L07ATMA2 за ціною від 37.55 грн до 154.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.02 грн
5000+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.02 грн
5000+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.51 грн
5000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+61.17 грн
1000+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+61.17 грн
1000+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+61.17 грн
1000+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+70.59 грн
212+69.36 грн
215+68.38 грн
500+65.71 грн
1000+60.73 грн
2000+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD80P03P4L-07-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24 Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.73 грн
10+88.45 грн
50+66.71 грн
100+56.00 грн
500+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon_ipd80p03p4l_07_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 9179 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+154.82 грн
10+74.05 грн
100+57.60 грн
500+45.62 грн
1000+43.50 грн
2500+37.62 грн
5000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 INFINEON INFN-S-A0004456885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 23307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 INFINEON INFN-S-A0004456885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 23307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.02 грн
5000+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.02 грн
5000+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+49.51 грн
5000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+61.17 грн
1000+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+61.17 грн
1000+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+61.17 грн
1000+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
208+70.59 грн
212+69.36 грн
215+68.38 грн
500+65.71 грн
1000+60.73 грн
2000+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon-IPD80P03P4L-07-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.73 грн
10+88.45 грн
50+66.71 грн
100+56.00 грн
500+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon_ipd80p03p4l_07_datasheet_en.pdf
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 9179 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.82 грн
10+74.05 грн
100+57.60 грн
500+45.62 грн
1000+43.50 грн
2500+37.62 грн
5000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 INFN-S-A0004456885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 23307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 INFN-S-A0004456885-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 23307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.