IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies


Infineon-IPD80P03P4L-07-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.13 грн
5000+32.43 грн
7500+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 88W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm.

Інші пропозиції IPD80P03P4L07ATMA2 за ціною від 36.83 грн до 114.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.41 грн
5000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.41 грн
5000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.81 грн
5000+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+59.07 грн
1000+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+59.07 грн
1000+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+59.07 грн
1000+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+68.16 грн
212+66.98 грн
215+66.04 грн
500+63.45 грн
1000+58.64 грн
2000+56.09 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD80P03P4L-07-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24 Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.17 грн
10+71.35 грн
100+52.99 грн
500+39.57 грн
1000+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD80P03P4L_07_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 21997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 INFINEON Infineon-IPD80P03P4L-07-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24 Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 26009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 IPD80P03P4L07ATMA2 INFINEON Infineon-IPD80P03P4L-07-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24 Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 26009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.41 грн
5000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.41 грн
5000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.81 грн
5000+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+59.07 грн
1000+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+59.07 грн
1000+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+59.07 грн
1000+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+60.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
208+68.16 грн
212+66.98 грн
215+66.04 грн
500+63.45 грн
1000+58.64 грн
2000+56.09 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 infineon-ipd80p03p4l-07-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon-IPD80P03P4L-07-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.17 грн
10+71.35 грн
100+52.99 грн
500+39.57 грн
1000+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon_IPD80P03P4L_07_DataSheet_v02_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 21997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon-IPD80P03P4L-07-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 26009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2 Infineon-IPD80P03P4L-07-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f366dae693f24
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 26009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.