Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R1K0CEATMA1
IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V.

Інші пропозиції IPD80R1K0CEATMA1 за ціною від 28.68 грн до 137.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.65 грн
12+38.43 грн
100+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPX80R1K0CE_DataSheet_v02_03_EN-3362752.pdf MOSFETs N-Ch 800V 5.7A DPAK-2
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+82.68 грн
100+52.65 грн
500+41.87 грн
1000+38.69 грн
2500+35.66 грн
5000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.97 грн
10+84.83 грн
100+57.31 грн
500+42.72 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
IPD80R1K0CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+56.65 грн
12+38.43 грн
100+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon_IPX80R1K0CE_DataSheet_v02_03_EN-3362752.pdf
IPD80R1K0CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 5.7A DPAK-2
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+117.59 грн
10+82.68 грн
100+52.65 грн
500+41.87 грн
1000+38.69 грн
2500+35.66 грн
5000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
IPD80R1K0CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+137.97 грн
10+84.83 грн
100+57.31 грн
500+42.72 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.