Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R1K2P7ATMA1
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPD80R1K2P7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Version: ESD
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+107.48 грн
10+72.46 грн
50+50.24 грн
100+43.27 грн
250+36.23 грн
500+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 3.1A, Power dissipation: 37W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.2Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 11nC, Version: ESD.

Інші пропозиції IPD80R1K2P7ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD80R1K2P7 IPD80R1K2P7 Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7
IPD80R1K2P7
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.