Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R1K2P7ATMA1
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD80R1K2P7ATMA1 за ціною від 29.58 грн до 107.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf 800V CoolMOS P7 Power Transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
708+43.04 грн
1000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 708
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
708+43.04 грн
1000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 708
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 310000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003370821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.16 грн
500+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
146+83.48 грн
158+77.49 грн
209+58.42 грн
221+53.21 грн
500+42.12 грн
2500+40.34 грн
5000+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003370821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.27 грн
12+68.91 грн
100+48.16 грн
500+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R1K2P7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262475fbe01624864728b3cd0&redirId=136886 Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.24 грн
10+64.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD80R1K2P7_DataSheet_v02_03_EN-3362787.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 9412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.03 грн
10+71.66 грн
100+43.81 грн
500+38.90 грн
1000+33.91 грн
2500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R1K2P7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262475fbe01624864728b3cd0&redirId=136886 IPD80R1K2P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R1K2P7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262475fbe01624864728b3cd0&redirId=136886 Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.