Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R1K2P7ATMA1
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD80R1K2P7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262475fbe01624864728b3cd0&redirId=136886 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD80R1K2P7ATMA1 за ціною від 25.52 грн до 90.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf 800V CoolMOS P7 Power Transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
708+43.14 грн
1000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 708
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
708+43.14 грн
1000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 708
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 310000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003370821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.98 грн
500+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
146+83.68 грн
158+77.68 грн
209+58.56 грн
221+53.34 грн
500+42.22 грн
2500+40.44 грн
5000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R1K2P7-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46262475fbe01624864728b3cd0&redirId=136886 Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.69 грн
10+58.00 грн
100+45.22 грн
500+33.93 грн
1000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003370821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.57 грн
12+71.51 грн
100+49.98 грн
500+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R1K2P7-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 8737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.64 грн
10+62.89 грн
100+42.65 грн
500+34.12 грн
1000+30.54 грн
2500+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA4F04963CD2143&compId=IPD80R1K2P7.pdf?ci_sign=53abc1d247d444f69459d15f762c386837b73d91 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA4F04963CD2143&compId=IPD80R1K2P7.pdf?ci_sign=53abc1d247d444f69459d15f762c386837b73d91 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.