Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R1K4P7ATMA1
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPD80R1K4P7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+116.69 грн
10+63.83 грн
50+51.64 грн
75+48.76 грн
100+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 2.7A, Power dissipation: 32W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.4Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.

Інші пропозиції IPD80R1K4P7ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD80R1K4P7 IPD80R1K4P7 Rochester Electronics, LLC INFN-S-A0004583431-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7 INFN-S-A0004583431-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD80R1K4P7
Виробник: Rochester Electronics, LLC
Description: 800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET,
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.