Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R1K4P7ATMA1
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+25.47 грн
5000+22.72 грн
7500+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA, Supplier Device Package: PG-TO252-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V.

Інші пропозиції IPD80R1K4P7ATMA1 за ціною від 21.00 грн до 98.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R1K4P7-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.22 грн
11+30.07 грн
500+26.01 грн
2500+22.77 грн
5000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R1K4P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.80 грн
10+55.57 грн
15+51.75 грн
25+47.34 грн
75+39.11 грн
100+37.33 грн
500+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 15209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.32 грн
10+59.79 грн
100+39.70 грн
500+29.16 грн
1000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R1K4P7-DataSheet-v02_03-EN.pdf
IPD80R1K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.22 грн
11+30.07 грн
500+26.01 грн
2500+22.77 грн
5000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7.pdf
IPD80R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+86.80 грн
10+55.57 грн
15+51.75 грн
25+47.34 грн
75+39.11 грн
100+37.33 грн
500+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9fa098058e5
IPD80R1K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 15209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.32 грн
10+59.79 грн
100+39.70 грн
500+29.16 грн
1000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.