IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 111.34 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 101W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm.
Інші пропозиції IPD80R280P7ATMA1 за ціною від 90.68 грн до 287.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 7335 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPD80R280P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 101W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IPD80R280P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IPD80R280P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 101W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD80R280P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 111.34 грн |
| IPD80R280P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 94+ | 151.87 грн |
| 102+ | 140.90 грн |
| IPD80R280P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 203+ | 175.60 грн |
| 500+ | 166.11 грн |
| 1000+ | 157.80 грн |
| IPD80R280P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 203+ | 175.60 грн |
| 500+ | 166.11 грн |
| 1000+ | 157.80 грн |
| IPD80R280P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 180.25 грн |
| 10+ | 155.95 грн |
| 25+ | 111.72 грн |
| IPD80R280P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 268.76 грн |
| 10+ | 148.02 грн |
| 100+ | 117.01 грн |
| 500+ | 96.54 грн |
| 2500+ | 90.68 грн |
| IPD80R280P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 287.44 грн |
| IPD80R280P7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD80R280P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD80R280P7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 101W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)