Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R2K4P7ATMA1
IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD80R2K4P7ATMA1 за ціною від 25.01 грн до 101.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r2k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
929+37.82 грн
1008+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
929+37.82 грн
1008+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r2k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+75.86 грн
218+64.51 грн
265+53.15 грн
280+48.54 грн
500+38.99 грн
1000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.91 грн
10+57.00 грн
100+37.63 грн
500+27.52 грн
1000+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.40 грн
11+69.83 грн
100+48.82 грн
500+37.32 грн
1000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+101.10 грн
200+70.32 грн
286+49.15 грн
500+37.58 грн
1000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD80R2K4P7_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 9180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 INFINEON 2327421.pdf Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineon-ipd80r2k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
929+37.82 грн
1008+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
929+37.82 грн
1008+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineon-ipd80r2k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
186+75.86 грн
218+64.51 грн
265+53.15 грн
280+48.54 грн
500+38.99 грн
1000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.91 грн
10+57.00 грн
100+37.63 грн
500+27.52 грн
1000+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+100.40 грн
11+69.83 грн
100+48.82 грн
500+37.32 грн
1000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
139+101.10 грн
200+70.32 грн
286+49.15 грн
500+37.58 грн
1000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon_IPD80R2K4P7_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 9180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 2327421.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.