Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R2K4P7ATMA1
IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD80R2K4P7ATMA1 за ціною від 25.24 грн до 102.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r2k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
929+38.16 грн
1008+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
929+38.16 грн
1008+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r2k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+76.54 грн
218+65.09 грн
265+53.63 грн
280+48.98 грн
500+39.34 грн
1000+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+57.51 грн
100+37.97 грн
500+27.77 грн
1000+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.30 грн
11+70.46 грн
100+49.25 грн
500+37.65 грн
1000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+102.00 грн
200+70.95 грн
286+49.59 грн
500+37.92 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD80R2K4P7_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 9148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 INFINEON 2327421.pdf Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineon-ipd80r2k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
929+38.16 грн
1008+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
929+38.16 грн
1008+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineon-ipd80r2k4p7-datasheet-v02_03-en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
186+76.54 грн
218+65.09 грн
265+53.63 грн
280+48.98 грн
500+39.34 грн
1000+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.75 грн
10+57.51 грн
100+37.97 грн
500+27.77 грн
1000+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+101.30 грн
11+70.46 грн
100+49.25 грн
500+37.65 грн
1000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 infineonipd80r2k4p7datasheetv0203en.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
139+102.00 грн
200+70.95 грн
286+49.59 грн
500+37.92 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon_IPD80R2K4P7_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 9148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 2327421.pdf
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.