IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 25.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD80R2K4P7ATMA1 за ціною від 21.18 грн до 84.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD80R2K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD80R2K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD80R2K4P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD80R2K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD80R2K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V |
на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD80R2K4P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD80R2K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 4235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD80R2K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD80R2K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD80R2K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |