Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R2K7C3AATMA1
IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1 Infineon Technologies

208infineon-ipd80r2k7c3a-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625e763904015ec.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R2K7C3AATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 42W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 42W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm.

Інші пропозиції IPD80R2K7C3AATMA1 за ціною від 35.03 грн до 168.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD80R2K7C3AATMA1 IPD80R2K7C3AATMA1 INFINEON 2820332.pdf Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.74 грн
500+46.58 грн
1000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1 IPD80R2K7C3AATMA1 Infineon Technologies 208infineon-ipd80r2k7c3a-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625e763904015ec.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1 IPD80R2K7C3AATMA1 INFINEON 2820332.pdf Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.57 грн
50+83.05 грн
100+62.74 грн
500+46.58 грн
1000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1 IPD80R2K7C3AATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD80R2K7C3A_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.84 грн
10+90.78 грн
100+54.34 грн
500+44.05 грн
1000+39.54 грн
2500+36.86 грн
5000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1 IPD80R2K7C3AATMA1 Infineon Technologies 208infineon-ipd80r2k7c3a-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625e763904015ec.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+168.62 грн
131+108.58 грн
173+81.78 грн
500+64.35 грн
1000+54.44 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1 2820332.pdf
IPD80R2K7C3AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+62.74 грн
500+46.58 грн
1000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1 208infineon-ipd80r2k7c3a-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625e763904015ec.pdf
IPD80R2K7C3AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+85.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1 2820332.pdf
IPD80R2K7C3AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+131.57 грн
50+83.05 грн
100+62.74 грн
500+46.58 грн
1000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1 Infineon_IPD80R2K7C3A_DS_v01_01_EN.pdf
IPD80R2K7C3AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+148.84 грн
10+90.78 грн
100+54.34 грн
500+44.05 грн
1000+39.54 грн
2500+36.86 грн
5000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1 208infineon-ipd80r2k7c3a-ds-v01_01-en.pdffileid5546d4625e763904015ec.pdf
IPD80R2K7C3AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
84+168.62 грн
131+108.58 грн
173+81.78 грн
500+64.35 грн
1000+54.44 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.