IPD80R2K7C3AATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 55.73 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD80R2K7C3AATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 42W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 42W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm.
Інші пропозиції IPD80R2K7C3AATMA1 за ціною від 55.85 грн до 167.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD80R2K7C3AATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPD80R2K7C3AATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPD80R2K7C3AATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPD80R2K7C3AATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPD80R2K7C3AATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE |
на замовлення 4911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
IPD80R2K7C3AATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 42W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm |
на замовлення 2757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
IPD80R2K7C3AATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 42W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm |
на замовлення 2757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD80R2K7C3AATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 55.85 грн |
| IPD80R2K7C3AATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 144.22 грн |
| 10+ | 88.69 грн |
| 50+ | 66.89 грн |
| 100+ | 56.19 грн |
| IPD80R2K7C3AATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 167.60 грн |
| IPD80R2K7C3AATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 85+ | 167.60 грн |
| IPD80R2K7C3AATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE
MOSFETs AUTOMOTIVE
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPD80R2K7C3AATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD80R2K7C3AATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
Description: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)