IPD80R2K8CEATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD80R2K8CEATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPD80R2K8CEATMA1 за ціною від 28.01 грн до 102.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD80R2K8CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD80R2K8CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R2K8CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R2K8CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD80R2K8CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 800V 1.9A DPAK-2 |
на замовлення 9018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R2K8CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V |
на замовлення 4845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R2K8CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IPD80R2K8CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPD80R2K8CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |