Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R360P7ATMA1
IPD80R360P7ATMA1

IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b425a44e73e94
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 84W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm.

Інші пропозиції IPD80R360P7ATMA1 за ціною від 72.97 грн до 254.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r360p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+126.13 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r360p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+161.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r360p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+224.11 грн
93+158.83 грн
110+133.49 грн
500+121.21 грн
1000+101.79 грн
2000+91.87 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b425a44e73e94 Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
на замовлення 6270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.83 грн
10+142.89 грн
50+109.70 грн
100+92.92 грн
500+75.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipd80r360p7_datasheet_en.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+254.00 грн
10+125.19 грн
100+98.35 грн
500+79.58 грн
1000+77.33 грн
2500+72.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0004583794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 84W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 6549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0004583794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1 infineon-ipd80r360p7-datasheet-v02_03-en.pdf
IPD80R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
116+126.13 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1 infineon-ipd80r360p7-datasheet-v02_03-en.pdf
IPD80R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+161.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1 infineon-ipd80r360p7-datasheet-v02_03-en.pdf
IPD80R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+224.11 грн
93+158.83 грн
110+133.49 грн
500+121.21 грн
1000+101.79 грн
2000+91.87 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1 Infineon-IPD80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b425a44e73e94
IPD80R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
на замовлення 6270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.83 грн
10+142.89 грн
50+109.70 грн
100+92.92 грн
500+75.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1 infineon_ipd80r360p7_datasheet_en.pdf
IPD80R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.00 грн
10+125.19 грн
100+98.35 грн
500+79.58 грн
1000+77.33 грн
2500+72.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1 INFN-S-A0004583794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD80R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 84W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 6549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1 INFN-S-A0004583794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD80R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.