IPD80R360P7ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 107.90 грн |
| 500+ | 85.88 грн |
| 1000+ | 67.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD80R360P7ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 84W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPD80R360P7ATMA1 за ціною від 60.99 грн до 218.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD80R360P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R360P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R360P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 84W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 8362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD80R360P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V |
на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R360P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD80R360P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 4948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R360P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPD80R360P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPD80R360P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPD80R360P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.6A Power dissipation: 84W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |