IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 22.36 грн |
| 28+ | 22.32 грн |
| 100+ | 20.10 грн |
| 250+ | 18.57 грн |
| 500+ | 17.82 грн |
| 1000+ | 17.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 18W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD80R3K3P7ATMA1 за ціною від 15.24 грн до 92.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V Power Dissipation (Max): 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 18W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 18W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 800V CoolMOS P7PowerDevice |
на замовлення 6408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V Power Dissipation (Max): 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V |
на замовлення 4993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPD80R3K3P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD80R3K3P7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |