Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD80R3K3P7ATMA1
IPD80R3K3P7ATMA1

IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies

INFN-S-A0004583823-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 18W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.

Інші пропозиції IPD80R3K3P7ATMA1 за ціною від 22.14 грн до 90.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r3k3p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+27.80 грн
28+27.74 грн
100+24.98 грн
250+23.08 грн
500+22.15 грн
1000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r3k3p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+27.80 грн
507+27.74 грн
543+25.91 грн
544+23.07 грн
1000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r3k3p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+31.38 грн
500+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r3k3p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0004583823-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.06 грн
10+54.63 грн
100+36.00 грн
500+26.27 грн
1000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 INFINEON 2327423.pdf Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD80R3K3P7_DataSheet_v02_03_EN-3362450.pdf MOSFETs 800V CoolMOS P7PowerDevice
на замовлення 6408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 INFINEON 2327423.pdf Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 infineon-ipd80r3k3p7-datasheet-v02_03-en.pdf
IPD80R3K3P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+27.80 грн
28+27.74 грн
100+24.98 грн
250+23.08 грн
500+22.15 грн
1000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 infineon-ipd80r3k3p7-datasheet-v02_03-en.pdf
IPD80R3K3P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
506+27.80 грн
507+27.74 грн
543+25.91 грн
544+23.07 грн
1000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 infineon-ipd80r3k3p7-datasheet-v02_03-en.pdf
IPD80R3K3P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
448+31.38 грн
500+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 infineon-ipd80r3k3p7-datasheet-v02_03-en.pdf
IPD80R3K3P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 INFN-S-A0004583823-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD80R3K3P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.06 грн
10+54.63 грн
100+36.00 грн
500+26.27 грн
1000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 2327423.pdf
IPD80R3K3P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon_IPD80R3K3P7_DataSheet_v02_03_EN-3362450.pdf
IPD80R3K3P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 800V CoolMOS P7PowerDevice
на замовлення 6408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 2327423.pdf
IPD80R3K3P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.