IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 588+ | 24.25 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
588 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD80R4K5P7ATMA1 за ціною від 17.48 грн до 89.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 3652 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD80R4K5P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IPD80R4K5P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 13W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD80R4K5P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.53 грн |
| IPD80R4K5P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 27.93 грн |
| 29+ | 26.53 грн |
| 100+ | 24.42 грн |
| 250+ | 22.55 грн |
| 500+ | 20.79 грн |
| IPD80R4K5P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 473+ | 30.14 грн |
| 500+ | 29.43 грн |
| IPD80R4K5P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 30.46 грн |
| IPD80R4K5P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 41.09 грн |
| IPD80R4K5P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3652 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.59 грн |
| 10+ | 40.87 грн |
| 100+ | 30.64 грн |
| 500+ | 24.43 грн |
| 1000+ | 23.99 грн |
| 2500+ | 20.77 грн |
| 5000+ | 17.48 грн |
| IPD80R4K5P7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD80R4K5P7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)