IPD80R4K5P7ATMA1

IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipd80r4k5p7-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD80R4K5P7ATMA1 за ціною від 16.54 грн до 70.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r4k5p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r4k5p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
588+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 588
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r4k5p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+22.22 грн
29+21.11 грн
100+19.43 грн
250+17.95 грн
500+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r4k5p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
473+25.83 грн
500+25.22 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r4k5p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r4k5p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2354624.pdf Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.55 грн
500+27.05 грн
1000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2354624.pdf Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.42 грн
18+48.53 грн
100+37.55 грн
500+27.05 грн
1000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD80R4K5P7_DataSheet_v02_03_EN-3362788.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 4054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.98 грн
10+49.49 грн
100+33.33 грн
500+25.90 грн
1000+23.39 грн
2500+20.82 грн
5000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd80r4k5p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da0c589b5949 IPD80R4K5P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da0c589b5949 Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1 IPD80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155da0c589b5949 Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.