IPD80R750P7ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD80R750P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 51W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V.

Інші пропозиції IPD80R750P7ATMA1 за ціною від 33.83 грн до 143.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0 Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.04 грн
10+79.87 грн
100+53.78 грн
500+40.00 грн
1000+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD80R750P7_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 4512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.90 грн
10+90.78 грн
100+52.79 грн
500+41.80 грн
1000+38.34 грн
2500+34.40 грн
5000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+130.04 грн
10+79.87 грн
100+53.78 грн
500+40.00 грн
1000+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 Infineon_IPD80R750P7_DataSheet_v02_03_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 4512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+143.90 грн
10+90.78 грн
100+52.79 грн
500+41.80 грн
1000+38.34 грн
2500+34.40 грн
5000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.