IPD80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 119.91 грн |
| 10+ | 72.29 грн |
| 25+ | 61.57 грн |
| 75+ | 51.27 грн |
| 100+ | 49.03 грн |
| 500+ | 41.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 3.9A, Power dissipation: 45W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.9Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 15nC, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Інші пропозиції IPD80R900P7ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD80R900P7 | Infineon |
|
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPD80R900P7 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)