IPD85P04P407ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD85P04P407ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPD85P04P407ATMA2 за ціною від 40.63 грн до 149.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD85P04P407ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD85P04P407ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 107500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD85P04P407ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD85P04P407ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD85P04P407ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD85P04P407ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 17354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IPD85P04P407ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IPD85P04P407ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD85P04P407ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 79.62 грн |
| 5000+ | 78.26 грн |
| IPD85P04P407ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 89.83 грн |
| IPD85P04P407ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 112.36 грн |
| IPD85P04P407ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.54 грн |
| 10+ | 84.72 грн |
| 100+ | 57.37 грн |
| 500+ | 42.84 грн |
| 1000+ | 40.63 грн |
| IPD85P04P407ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 94+ | 149.86 грн |
| 102+ | 138.15 грн |
| 113+ | 125.27 грн |
| 200+ | 114.02 грн |
| 500+ | 94.50 грн |
| 1000+ | 84.00 грн |
| 2000+ | 83.80 грн |
| IPD85P04P407ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 17354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPD85P04P407ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD85P04P407ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)