Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD85P04P407ATMA2
IPD85P04P407ATMA2

IPD85P04P407ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD85P04P4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782666e92ddd
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD85P04P407ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 88W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm.

Інші пропозиції IPD85P04P407ATMA2 за ціною від 40.71 грн до 163.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD85P04P407ATMA2 IPD85P04P407ATMA2 Infineon Technologies ipd85p04p4-07_ds_10.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.69 грн
5000+79.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 IPD85P04P407ATMA2 Infineon Technologies ipd85p04p4-07_ds_10.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 IPD85P04P407ATMA2 Infineon Technologies ipd85p04p4-07_ds_10.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+113.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 IPD85P04P407ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD85P04P4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782666e92ddd Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.81 грн
10+84.90 грн
100+57.49 грн
500+42.93 грн
1000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 IPD85P04P407ATMA2 Infineon Technologies ipd85p04p4-07_ds_10.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.87 грн
102+140.01 грн
113+126.96 грн
200+115.56 грн
500+95.77 грн
1000+85.13 грн
2000+84.92 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 IPD85P04P407ATMA2 Infineon Technologies infineon_pg_to252_3_313_ipd85p04p407atma1_pd_en.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 12162 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+163.82 грн
10+78.13 грн
100+60.77 грн
500+48.34 грн
1000+46.51 грн
2500+42.56 грн
5000+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 IPD85P04P407ATMA2 INFINEON Infineon-IPD85P04P4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782666e92ddd Description: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 5007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 IPD85P04P407ATMA2 INFINEON INFNS16990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 ipd85p04p4-07_ds_10.pdf
IPD85P04P407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+80.69 грн
5000+79.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 ipd85p04p4-07_ds_10.pdf
IPD85P04P407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 ipd85p04p4-07_ds_10.pdf
IPD85P04P407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+113.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 Infineon-IPD85P04P4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782666e92ddd
IPD85P04P407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.81 грн
10+84.90 грн
100+57.49 грн
500+42.93 грн
1000+40.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 ipd85p04p4-07_ds_10.pdf
IPD85P04P407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+151.87 грн
102+140.01 грн
113+126.96 грн
200+115.56 грн
500+95.77 грн
1000+85.13 грн
2000+84.92 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 infineon_pg_to252_3_313_ipd85p04p407atma1_pd_en.pdf
IPD85P04P407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 12162 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.82 грн
10+78.13 грн
100+60.77 грн
500+48.34 грн
1000+46.51 грн
2500+42.56 грн
5000+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 Infineon-IPD85P04P4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782666e92ddd
IPD85P04P407ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 5007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 INFNS16990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD85P04P407ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.