IPD85P04P4L06ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 35255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 87.48 грн |
| 500+ | 73.11 грн |
| 1000+ | 57.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD85P04P4L06ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P2, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPD85P04P4L06ATMA1 за ціною від 57.79 грн до 108.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD85P04P4L06ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P2 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 35255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPD85P04P4L06ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPD85P04P4L06ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPD85P04P4L06ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPD85P04P4L06ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
товару немає в наявності |