Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD85P04P4L06ATMA2
IPD85P04P4L06ATMA2

IPD85P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD85P04P4L-06-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7824648a2dc9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+53.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD85P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 88W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.

Інші пропозиції IPD85P04P4L06ATMA2 за ціною від 37.29 грн до 183.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD85P04P4L06ATMA2 IPD85P04P4L06ATMA2 INFINEON 2876646.pdf Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.16 грн
500+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2 IPD85P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD85P04P4L-06-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.86 грн
10+94.83 грн
100+57.37 грн
500+45.74 грн
1000+43.06 грн
2500+37.92 грн
5000+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2 IPD85P04P4L06ATMA2 INFINEON 2876646.pdf Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.53 грн
10+102.79 грн
100+69.16 грн
500+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2 IPD85P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD85P04P4L-06-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7824648a2dc9 Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
на замовлення 8257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.17 грн
10+113.54 грн
100+77.82 грн
500+58.65 грн
1000+54.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2 2876646.pdf
IPD85P04P4L06ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+69.16 грн
500+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2 Infineon-IPD85P04P4L-06-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IPD85P04P4L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+134.86 грн
10+94.83 грн
100+57.37 грн
500+45.74 грн
1000+43.06 грн
2500+37.92 грн
5000+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2 2876646.pdf
IPD85P04P4L06ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+159.53 грн
10+102.79 грн
100+69.16 грн
500+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2 Infineon-IPD85P04P4L-06-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7824648a2dc9
IPD85P04P4L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
на замовлення 8257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+183.17 грн
10+113.54 грн
100+77.82 грн
500+58.65 грн
1000+54.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.