IPD90N03S4L-02 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 194.11 грн |
| 10+ | 110.42 грн |
| 100+ | 69.34 грн |
| 500+ | 60.69 грн |
| 1000+ | 54.75 грн |
| 2500+ | 49.77 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD90N03S4L-02 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 90A, Power dissipation: 136W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 2.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 110nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ T2.
Інші пропозиції IPD90N03S4L-02
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD90N03S4L02 | INFINEON |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPD90N03S4L02 |
Виробник: INFINEON
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)