Технічний опис IPD90N03S4L-02 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 90A, Power dissipation: 136W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 2.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 110nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ T2.
Інші пропозиції IPD90N03S4L-02
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD90N03S4L02 | INFINEON |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPD90N03S4L02 |
Виробник: INFINEON
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)