Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N03S4L02ATMA1
IPD90N03S4L02ATMA1

IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+51.72 грн
5000+46.61 грн
7500+44.99 грн
12500+42.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.

Інші пропозиції IPD90N03S4L02ATMA1 за ціною від 47.22 грн до 182.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t Description: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 18634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.28 грн
500+59.25 грн
1000+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n03s4l02dsv0300en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+109.12 грн
500+98.20 грн
1000+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n03s4l02dsv0300en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+109.12 грн
500+98.20 грн
1000+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t Description: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 18634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.57 грн
50+75.08 грн
100+72.28 грн
500+59.25 грн
1000+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.82 грн
10+109.27 грн
100+74.58 грн
500+56.06 грн
1000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD90N03S4L_02_DS_v03_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 4184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.55 грн
10+106.99 грн
100+69.07 грн
500+55.19 грн
1000+50.75 грн
2500+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t
IPD90N03S4L02ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 18634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+72.28 грн
500+59.25 грн
1000+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 infineonipd90n03s4l02dsv0300en.pdf
IPD90N03S4L02ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
325+109.12 грн
500+98.20 грн
1000+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 infineonipd90n03s4l02dsv0300en.pdf
IPD90N03S4L02ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
325+109.12 грн
500+98.20 грн
1000+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t
IPD90N03S4L02ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 18634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+168.57 грн
50+75.08 грн
100+72.28 грн
500+59.25 грн
1000+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t
IPD90N03S4L02ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+176.82 грн
10+109.27 грн
100+74.58 грн
500+56.06 грн
1000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon_IPD90N03S4L_02_DS_v03_00_en.pdf
IPD90N03S4L02ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 4184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+182.55 грн
10+106.99 грн
100+69.07 грн
500+55.19 грн
1000+50.75 грн
2500+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.