Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N03S4L02ATMA1
IPD90N03S4L02ATMA1

IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.34 грн
5000+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD90N03S4L02ATMA1 за ціною від 43.21 грн до 167.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t Description: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.87 грн
500+49.72 грн
1000+45.46 грн
5000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS12004-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0022 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.40 грн
10+85.29 грн
100+59.87 грн
500+49.72 грн
1000+45.46 грн
5000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd90n03s4l-02_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+106.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd90n03s4l-02_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+128.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD90N03S4L_02_DS_v03_00_en-1731746.pdf MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.74 грн
10+87.44 грн
100+54.05 грн
500+51.11 грн
1000+48.33 грн
2500+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90N03S4L_02-DS-v03_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fa9d3b33&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.75 грн
10+95.35 грн
100+67.94 грн
500+55.20 грн
1000+50.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd90n03s4l-02_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd90n03s4l-02_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA554F49B58E143&compId=IPD90N03S4L02.pdf?ci_sign=acd316fd8741a95f752806ce832d01a4fa19919a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA554F49B58E143&compId=IPD90N03S4L02.pdf?ci_sign=acd316fd8741a95f752806ce832d01a4fa19919a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.