Інші пропозиції IPD90N03S4L03ATMA1 за ціною від 39.13 грн до 155.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD90N03S4L03ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD90N03S4L03ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD90N03S4L03ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD90N03S4L03ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 14598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD90N03S4L03ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD90N03S4L03ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD90N03S4L03ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPD90N03S4L03ATMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD90N03S4L03ATMA1 - IPD90N03 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE MtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPD90N03S4L03ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPD90N03S4L03ATMA1 | Виробник : Infineon |
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
IPD90N03S4L03ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |



