Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N04S304ATMA1
IPD90N04S304ATMA1

IPD90N04S304ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N04S3_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba3ee45a2&ack=t Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 5791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N04S304ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPD90N04S304ATMA1 за ціною від 92.94 грн до 126.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD90N04S304ATMA1 IPD90N04S304ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n04s304dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+116.64 грн
10000+106.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1 IPD90N04S304ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n04s304dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+126.27 грн
500+113.95 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1 IPD90N04S304ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n04s304dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+126.27 грн
500+113.95 грн
1000+104.71 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1 IPD90N04S304ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n04s304dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+126.27 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1 IPD90N04S304ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n04s304dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+126.27 грн
500+113.95 грн
1000+104.71 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPD90N04S3_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba3ee45a2&ack=t Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD90N04S304ATMA1 - IPD90N04 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
277+92.94 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1 IPD90N04S304ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd90n04s3-04_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1 IPD90N04S304ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n04s304dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1 IPD90N04S304ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S3_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba3ee45a2&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1 IPD90N04S304ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S3_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba3ee45a2&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1 IPD90N04S304ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5695EBD4E4143&compId=IPD90N04S304.pdf?ci_sign=744e6d18ceef1d2e8f817da583e63cd71a15d851 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
Gate charge: 60nC
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.