
IPD90N04S304ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 5791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
289+ | 78.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD90N04S304ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPD90N04S304ATMA1 за ціною від 92.46 грн до 124.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD90N04S304ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPD90N04S304ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPD90N04S304ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPD90N04S304ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IPD90N04S304ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
IPD90N04S304ATMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
IPD90N04S304ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IPD90N04S304ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IPD90N04S304ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 90A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ T Gate charge: 60nC Drain current: 90A Power dissipation: 136W кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IPD90N04S304ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IPD90N04S304ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IPD90N04S304ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 90A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ T Gate charge: 60nC Drain current: 90A Power dissipation: 136W |
товару немає в наявності |