Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N04S3H4ATMA1
IPD90N04S3H4ATMA1

IPD90N04S3H4ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N04S3_H4-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a30431b3e89eb011bb762b9c4070c&ack=t Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
273+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N04S3H4ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 65µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPD90N04S3H4ATMA1 за ціною від 94.68 грн до 94.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD90N04S3H4ATMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPD90N04S3_H4-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a30431b3e89eb011bb762b9c4070c&ack=t Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD90N04S3H4ATMA1 - IPD90N04 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
263+94.68 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3H4ATMA1 IPD90N04S3H4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies p1.pdffolderiddb3a304412b407950112b42b75b74520fileiddb3a30431b3e89eb011bb762b9c4070c.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3H4ATMA1 IPD90N04S3H4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies p1.pdffolderiddb3a304412b407950112b42b75b74520fileiddb3a30431b3e89eb011bb762b9c4070c.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3H4ATMA1 IPD90N04S3H4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S3_H4-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a30431b3e89eb011bb762b9c4070c&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.