IPD90N04S404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IPD90N04S404.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Pulsed drain current: 360A
Gate charge: 20nC
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+100.28 грн
6+72.80 грн
10+63.49 грн
25+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N04S404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ T2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 81A, Power dissipation: 71W, Case: PG-TO252-3-313, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.1mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel, Pulsed drain current: 360A, Gate charge: 20nC.

Інші пропозиції IPD90N04S404ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD90N04S4-04 IPD90N04S4-04 Infineon Technologies Infineon_IPD90N04S4_04_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4-04 Infineon_IPD90N04S4_04_DS_v01_00_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.