Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N04S402ATMA1
IPD90N04S402ATMA1

IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies

infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+63.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD90N04S402ATMA1 за ціною від 46.25 грн до 167.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+73.52 грн
194+72.79 грн
195+72.06 грн
217+62.68 грн
250+57.45 грн
500+51.07 грн
1000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.75 грн
11+73.52 грн
25+72.79 грн
50+69.49 грн
100+58.04 грн
250+55.15 грн
500+51.07 грн
1000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+88.86 грн
160+87.81 грн
162+86.76 грн
250+82.65 грн
500+75.59 грн
1000+71.67 грн
3000+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.90 грн
10+88.86 грн
25+87.81 грн
100+83.66 грн
250+76.53 грн
500+72.57 грн
1000+71.67 грн
3000+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+106.61 грн
500+95.95 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+106.61 грн
500+95.95 грн
1000+88.49 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8ad7945e5c&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.80 грн
10+103.47 грн
100+70.56 грн
500+53.01 грн
1000+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8ad7945e5c&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8ad7945e5c&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
192+73.52 грн
194+72.79 грн
195+72.06 грн
217+62.68 грн
250+57.45 грн
500+51.07 грн
1000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+81.75 грн
11+73.52 грн
25+72.79 грн
50+69.49 грн
100+58.04 грн
250+55.15 грн
500+51.07 грн
1000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
159+88.86 грн
160+87.81 грн
162+86.76 грн
250+82.65 грн
500+75.59 грн
1000+71.67 грн
3000+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+89.90 грн
10+88.86 грн
25+87.81 грн
100+83.66 грн
250+76.53 грн
500+72.57 грн
1000+71.67 грн
3000+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+106.61 грн
500+95.95 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+106.61 грн
500+95.95 грн
1000+88.49 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8ad7945e5c&ack=t
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.80 грн
10+103.47 грн
100+70.56 грн
500+53.01 грн
1000+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8ad7945e5c&ack=t
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8ad7945e5c&ack=t
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.