Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N04S402ATMA1
IPD90N04S402ATMA1

IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies

infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+64.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD90N04S402ATMA1 за ціною від 42.78 грн до 180.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+74.02 грн
194+73.28 грн
195+72.55 грн
217+63.10 грн
250+57.84 грн
500+51.42 грн
1000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8ad7945e5c&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.66 грн
500+50.93 грн
1000+43.70 грн
5000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.30 грн
11+74.02 грн
25+73.28 грн
50+69.96 грн
100+58.43 грн
250+55.52 грн
500+51.42 грн
1000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.45 грн
160+88.40 грн
162+87.34 грн
250+83.20 грн
500+76.10 грн
1000+72.15 грн
3000+71.24 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.51 грн
10+89.45 грн
25+88.40 грн
100+84.22 грн
250+77.04 грн
500+73.05 грн
1000+72.15 грн
3000+71.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.33 грн
500+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.33 грн
500+96.59 грн
1000+89.09 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8ad7945e5c&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.86 грн
10+106.59 грн
100+72.69 грн
500+54.61 грн
1000+50.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 IPD90N04S402ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8ad7945e5c&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.91 грн
10+107.72 грн
100+77.79 грн
500+53.98 грн
1000+45.81 грн
5000+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+64.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
192+74.02 грн
194+73.28 грн
195+72.55 грн
217+63.10 грн
250+57.84 грн
500+51.42 грн
1000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8ad7945e5c&ack=t
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+74.66 грн
500+50.93 грн
1000+43.70 грн
5000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+82.30 грн
11+74.02 грн
25+73.28 грн
50+69.96 грн
100+58.43 грн
250+55.52 грн
500+51.42 грн
1000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
159+89.45 грн
160+88.40 грн
162+87.34 грн
250+83.20 грн
500+76.10 грн
1000+72.15 грн
3000+71.24 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+90.51 грн
10+89.45 грн
25+88.40 грн
100+84.22 грн
250+77.04 грн
500+73.05 грн
1000+72.15 грн
3000+71.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
330+107.33 грн
500+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 infineonipd90n04s402dsv0100en.pdf
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
330+107.33 грн
500+96.59 грн
1000+89.09 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8ad7945e5c&ack=t
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.86 грн
10+106.59 грн
100+72.69 грн
500+54.61 грн
1000+50.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c8ad7945e5c&ack=t
IPD90N04S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+180.91 грн
10+107.72 грн
100+77.79 грн
500+53.98 грн
1000+45.81 грн
5000+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.