Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N04S403ATMA1
IPD90N04S403ATMA1

IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD90N04S403ATMA1 за ціною від 35.75 грн до 127.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 90A; Idm: 90A; 94W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 94W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Gate charge: 66.8nC
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.99 грн
25+45.52 грн
100+42.10 грн
250+38.58 грн
500+36.67 грн
1000+36.60 грн
3000+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+45.99 грн
309+45.52 грн
322+43.65 грн
326+41.67 грн
500+38.20 грн
1000+36.60 грн
3000+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.85 грн
25+51.19 грн
50+48.87 грн
100+42.87 грн
250+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.51 грн
270+52.21 грн
273+51.54 грн
276+49.20 грн
291+43.16 грн
320+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
477+73.69 грн
530+66.32 грн
1000+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
477+73.69 грн
530+66.32 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.78 грн
10+78.27 грн
100+52.65 грн
500+39.08 грн
1000+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 17999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 90A; Idm: 90A; 94W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 94W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Gate charge: 66.8nC
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.99 грн
25+45.52 грн
100+42.10 грн
250+38.58 грн
500+36.67 грн
1000+36.60 грн
3000+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
306+45.99 грн
309+45.52 грн
322+43.65 грн
326+41.67 грн
500+38.20 грн
1000+36.60 грн
3000+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+51.85 грн
25+51.19 грн
50+48.87 грн
100+42.87 грн
250+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
263+53.51 грн
270+52.21 грн
273+51.54 грн
276+49.20 грн
291+43.16 грн
320+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
477+73.69 грн
530+66.32 грн
1000+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
477+73.69 грн
530+66.32 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.78 грн
10+78.27 грн
100+52.65 грн
500+39.08 грн
1000+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 17999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.