Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N04S403ATMA1
IPD90N04S403ATMA1

IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 94W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.

Інші пропозиції IPD90N04S403ATMA1 за ціною від 37.03 грн до 140.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.61 грн
25+46.13 грн
100+42.66 грн
250+39.10 грн
500+37.17 грн
1000+37.09 грн
3000+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+46.61 грн
309+46.13 грн
322+44.24 грн
326+42.23 грн
500+38.71 грн
1000+37.09 грн
3000+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.55 грн
25+51.87 грн
50+49.53 грн
100+43.44 грн
250+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+54.23 грн
270+52.91 грн
273+52.23 грн
276+49.87 грн
291+43.74 грн
320+38.14 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
477+74.68 грн
530+67.21 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
477+74.68 грн
530+67.21 грн
1000+61.98 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.38 грн
10+85.94 грн
50+64.63 грн
100+54.21 грн
500+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 INFINEON INFNS15026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 INFINEON INFNS15026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+46.61 грн
25+46.13 грн
100+42.66 грн
250+39.10 грн
500+37.17 грн
1000+37.09 грн
3000+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
306+46.61 грн
309+46.13 грн
322+44.24 грн
326+42.23 грн
500+38.71 грн
1000+37.09 грн
3000+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+52.55 грн
25+51.87 грн
50+49.53 грн
100+43.44 грн
250+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
263+54.23 грн
270+52.91 грн
273+52.23 грн
276+49.87 грн
291+43.74 грн
320+38.14 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
477+74.68 грн
530+67.21 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
477+74.68 грн
530+67.21 грн
1000+61.98 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.38 грн
10+85.94 грн
50+64.63 грн
100+54.21 грн
500+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 INFNS15026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 INFNS15026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.