IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 94W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.

Інші пропозиції IPD90N04S403ATMA1 за ціною від 34.23 грн до 151.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.84 грн
25+47.36 грн
100+43.79 грн
250+40.14 грн
500+38.15 грн
1000+38.08 грн
3000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+47.84 грн
309+47.36 грн
322+45.42 грн
326+43.35 грн
500+39.74 грн
1000+38.08 грн
3000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.94 грн
25+53.25 грн
50+50.84 грн
100+44.60 грн
250+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+55.67 грн
270+54.31 грн
273+53.62 грн
276+51.19 грн
291+44.90 грн
320+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
477+76.67 грн
530+69.00 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
477+76.67 грн
530+69.00 грн
1000+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.11 грн
10+88.22 грн
50+66.35 грн
100+55.65 грн
500+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipd90n04s4_03_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 8910 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+151.52 грн
10+71.31 грн
100+55.48 грн
500+43.84 грн
1000+42.64 грн
2500+35.51 грн
5000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 INFINEON INFNS15026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 INFINEON INFNS15026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+47.84 грн
25+47.36 грн
100+43.79 грн
250+40.14 грн
500+38.15 грн
1000+38.08 грн
3000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
306+47.84 грн
309+47.36 грн
322+45.42 грн
326+43.35 грн
500+39.74 грн
1000+38.08 грн
3000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+53.94 грн
25+53.25 грн
50+50.84 грн
100+44.60 грн
250+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
263+55.67 грн
270+54.31 грн
273+53.62 грн
276+51.19 грн
291+44.90 грн
320+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
477+76.67 грн
530+69.00 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineonipd90n04s403dsv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
477+76.67 грн
530+69.00 грн
1000+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.11 грн
10+88.22 грн
50+66.35 грн
100+55.65 грн
500+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 infineon_ipd90n04s4_03_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 8910 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.52 грн
10+71.31 грн
100+55.48 грн
500+43.84 грн
1000+42.64 грн
2500+35.51 грн
5000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 INFNS15026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 INFNS15026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.