IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 625+ | 22.24 грн |
| 632+ | 22.01 грн |
| 642+ | 21.67 грн |
| 648+ | 20.68 грн |
| 655+ | 18.96 грн |
| 1000+ | 18.17 грн |
| 3000+ | 17.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPD90N04S403ATMA1 за ціною від 17.84 грн до 141.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD90N04S403ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD90N04S403ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD90N04S403ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD90N04S403ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD90N04S403ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD90N04S403ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
на замовлення 18029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD90N04S403ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD90N04S403ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD90N04S403ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |